三星移动固态硬盘：T7 Shield 、T7和 T7 Touch 之间如何选？
由于许多用户在闪存存储粒子和主控制字段中具有独特的技术优势，因此许多用户更喜欢三星。三星使用V-NAND技术，与传统的游泳网格技术相比，这是一种负载技术。
货物保存在绝缘体中，从而改善了数据稳定性并节省了时间并确保产品的可靠性。
除了数据安全性和稳定性外，三星还具有主要控制和固件设计的显着优势。
多流技术的引入使三星颗粒更长，更耐用。
三星移动设备（如T7系列）的固定硬盘驱动器是许多用户存储内存的理想选择。
使用第六代的三星Stapel-V-NAND闪存颗粒，具有更快的阅读和写作速度以及更高的骑行寿命。
T7基本模型的性能出色，连续阅读速度为1050 MB/s，连续写作速度为1000 MB/s。
这一系列的外观设计是时尚的。
反降临的性能，适合不同用途。
关于价格，2 -TB容量的T7为1159元。
除T7外，三星还设有两个移动硬盘：T7Shield和T7Touch。
这三种产品与粒子和主要控制完全相同，并且读写性能是一致的。
T7Shield根据其原始基础提高了保护性能。
T7Shield的价格稍高，实际价格为2 TB容量1239元。
T7Touch添加了基于T7的指纹识别模块，以确保数据保护并提高产品安全性。
由于其他功能，1 TB容量T7Touch的价格高达929元。
总体而言，三星的固定硬盘驱动器已成为领先的硬盘驱动器，其稳定性和高性能与消费者水平的稳定硬盘驱动器。
选择时，应根据某些要求确定用户。
如果您必须了解更多信息，建议您咨询相关的坚固硬盘知识。
【记忆空间istore】 移动固态硬盘评测报告，Samsung T7 Shield PSSD
三星T7ShieldPSD提供黑色，蓝色和白色外观颜色。移动状态的实心磁盘 - 国家批准ASM2462桥芯片，主要的SSD控制和NAND体系结构，配备了DC \ DC解决方案和集成容量矩阵，并具有能量损失的功能。
在阅读和写作时，如果遇到异常功率，主控件可以检测到USB连接的断开连接并在NAND中写入缓存RAM数据以防止数据丢失。
关于三星T7PSSD生活的计算，通过CDI检查他的名字“ Samsungprotablesssdt7shield”，其容量为2TB。
假设使用3DTLCNAND，基于基于NAND寿命的P/Ecycles参数，腐蚀电阻的数量为3,000次，写作的放大系数为2，而TBW为3000TBW。
该固体磁盘支持勇敢的功能，这可以使操作系统通知已删除的固体硬盘数据，优化内部删除，提高写作性能，减少损失并延长服务的寿命。
在性能测试中，三星T7Shield在5GBPS接口下的顺序读取和写入速度为45MB，支持大型文件的快速副本。
阅读和编写案例的速度约为150MB，处理零碎文件的任务很快。
能源消耗为2.70W，准备就绪为0.46W，睡眠为0.19W。
在工作状态下，国家固体驱动器必须处理数据和命令，数据与NAND的相互作用以及主要控制计划，从而导致高能消耗。
在准备期间，尽管没有数据传输，但指导互动和废物回收工作仍应消耗当前。
休眠状况通过硬件的一部分封闭，仅保留主要控制模块的工作以实现低能消耗。
体验三星T7移动固态硬盘，高效存储，速度与安全并驾齐驱
大家好，大家好！ 今天，我想向您展示革命保护的文物-samsung T7移动固体 - 磁盘。它不仅尺寸很小，易于携带，而且还具有惊人的传输速度和高安全性，可以满足您的工作和生活的不同需求。
首先，三星T7速度很棒。
它使用USB3.2GEN2和PCIENVME技术，连续阅读和写作的速度最高为1050MB/s和1000MB/s，使您在处理大型文件，视频或游戏数据时可以告别等待很长时间，并享受快速的体验第二个经验，数据安全是T7的亮点之一。
配备了AES 256 -PIT加密密码保护设备，以确保您的数据不会非法获得。
同时，即使从2米的高度下降，固体金属体和出色的地震耐药性也可以有效地降低数据损坏的风险。
此外，T7还提供了三年的有限保证，因此您可以更安全地使用它。
T7热分布的性能也很棒。
使用先进的EPCM技术和热分布的动态保护（动力学马尔格），可有效消除和控制热量。
T7外观的设计也非常吸引人。
使用仅重量58克的集成铝合金结构。
同时，T7与PC，MAC，Android设备，游戏键盘等广泛兼容，使您可以轻松地存储和传输数据到各种情况。
最后，T7配件既易于使用又易于使用。
购买时，包装盒包含在USBTYPE-CTOC和Type-CTOA数据电缆中，以便您可以轻松地连接不同的设备而无需购买其他设备。
简而言之，如果您正在寻找一种高效，安全和方便的存储设备，那么T7绝对是您的最佳选择。
快来体验三星T7，使您的工作和生活更加高效，安全！
三星t7是tlc还是qlc
TLC。三星的坚固硬盘驱动器本质上是TLC。
TLC：每个单元单元存储3-位信息。
，写作速度很慢。
短寿命相对使用。
